Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

2SD2257,KEHINQ(J

частина: 6789

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

частина: 6792

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

частина: 6778

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

частина: 6989

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

частина: 7064

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

частина: 7008

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

частина: 7045

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

частина: 7037

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

частина: 7039

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

частина: 7003

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

частина: 7001

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 375V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

частина: 6717

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

частина: 7021

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

частина: 7019

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 375V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

частина: 6714

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

частина: 7015

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

частина: 6994

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

частина: 6971

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

частина: 6716

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

частина: 7019

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

частина: 6724

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

частина: 6968

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

частина: 7006

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 20µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

частина: 7026

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

частина: 6967

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 180V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

частина: 6979

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 180V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

частина: 6992

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 180V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

частина: 7059

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 180V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

частина: 6988

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 180V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

частина: 7005

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

частина: 6962

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

частина: 7032

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

частина: 7001

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

частина: 7000

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

частина: 7001

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

частина: 6995

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 230V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

До побажання