Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

частина: 171

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 570mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

частина: 82

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 570mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

частина: 173

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 10A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

частина: 98

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 10A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

частина: 157

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 10A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

частина: 94

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 10A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

частина: 76

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.33V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 310ns,

До побажання
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

частина: 99

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.33V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 310ns,

До побажання
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

частина: 161

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.33V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 310ns,

До побажання
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

частина: 131

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.33V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 310ns,

До побажання
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

частина: 5088

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 145ns,

До побажання
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

частина: 145

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 145ns,

До побажання
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

частина: 152

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 145ns,

До побажання
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

частина: 153

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 145ns,

До побажання
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

частина: 112

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 145ns,

До побажання
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

частина: 160

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 18A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 18A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

частина: 71

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 760mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

частина: 130

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 760mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

частина: 112

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

частина: 135

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

частина: 74

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 510mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

частина: 104

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 660mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

частина: 95

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 660mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

частина: 137

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 660mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

частина: 156

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

частина: 137

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

частина: 5037

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 180A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 180A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

частина: 91

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 910mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

частина: 5020

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 910mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

частина: 69

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 490mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

частина: 130

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

частина: 5051

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

частина: 135

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

частина: 74

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 650mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

частина: 120

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 120A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 570mV @ 120A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

частина: 4317

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.4A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 60ns,

До побажання