Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - стабілітронові - одинарні

1N5369BRLG
ON Semiconductor

1N5369BRLG

частина: 160710

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 51V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 5W, Опір (макс.) (Zzt): 27 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 38.8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 1A,

До побажання
1N5380BRLG
ON Semiconductor

1N5380BRLG

частина: 135402

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 120V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 5W, Опір (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 91.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 1A,

До побажання
1N5383BRLG
ON Semiconductor

1N5383BRLG

частина: 177502

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 150V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 5W, Опір (макс.) (Zzt): 330 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 114V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 1A,

До побажання
1N5374BRLG
ON Semiconductor

1N5374BRLG

частина: 159698

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 75V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 5W, Опір (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 56V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 1A,

До побажання
1N5356BRLG
ON Semiconductor

1N5356BRLG

частина: 189409

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 19V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 5W, Опір (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 500nA @ 114V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 1A,

До побажання
1N5245BTA
SMC Diode Solutions

1N5245BTA

частина: 145513

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 15V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 500mW, Опір (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 100nA @ 10.5V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 200mA,

До побажання
1SMB5952B-13
Diodes Incorporated

1SMB5952B-13

частина: 166334

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 130V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 98.8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5940B-13
Diodes Incorporated

1SMB5940B-13

частина: 156649

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 43V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 53 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 32.7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5956B-13
Diodes Incorporated

1SMB5956B-13

частина: 130281

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 200V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 152V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5951B-13
Diodes Incorporated

1SMB5951B-13

частина: 134419

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 120V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 380 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 91.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5932B-13
Diodes Incorporated

1SMB5932B-13

частина: 141863

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 550mW, Опір (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 15.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5945B-13
Diodes Incorporated

1SMB5945B-13

частина: 146555

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 68V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 120 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 51.7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5941B-13
Diodes Incorporated

1SMB5941B-13

частина: 188839

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 47V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 35.8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5943B-13
Diodes Incorporated

1SMB5943B-13

частина: 135473

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 56V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 86 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 42.6V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5935B-13
Diodes Incorporated

1SMB5935B-13

частина: 184654

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 27V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 550mW, Опір (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 20.6V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5933B-13
Diodes Incorporated

1SMB5933B-13

частина: 157023

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 550mW, Опір (макс.) (Zzt): 17.5 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 16.7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5955B-13
Diodes Incorporated

1SMB5955B-13

частина: 140510

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 180V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 550mW, Опір (макс.) (Zzt): 900 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 136.8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5948B-13
Diodes Incorporated

1SMB5948B-13

частина: 140777

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 91V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 69.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1SMB5926B-13
Diodes Incorporated

1SMB5926B-13

частина: 194394

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 3W, Опір (макс.) (Zzt): 5.5 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 1µA @ 8.4V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.5V @ 200mA,

До побажання
1N4753A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753A R0G

частина: 55

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 36V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 27.4V,

До побажання
1N4746AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHR0G

частина: 69

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 13.7V,

До побажання
1N4756AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHR0G

частина: 70

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 47V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 35.8V,

До побажання
1N4759AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR0G

частина: 131

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 62V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 47.1V,

До побажання
1N4762A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A R0G

частина: 70

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 82V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 62.2V,

До побажання
1N4751A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A R0G

частина: 72

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 22.8V,

До побажання
1N4749AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHR0G

частина: 113

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 24V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 18.2V,

До побажання
1N4757AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757AHR0G

частина: 108

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 51V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 38.8V,

До побажання
1N4755A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A R0G

частина: 102

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 43V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 32.7V,

До побажання
1N4756A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A R0G

частина: 120

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 47V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 35.8V,

До побажання
1N4747AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747AHR0G

частина: 71

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 15.2V,

До побажання
1N4754A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R0G

частина: 77

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 39V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 29.7V,

До побажання
1M180ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180ZHR0G

частина: 100

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 180V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 136.8V,

До побажання
1N4764A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R0G

частина: 91

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 100V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 76V,

До побажання
1N4741AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHR0G

частина: 59

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 15.2V,

До побажання
1N4760AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760AHR0G

частина: 136

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 68V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 51.7V,

До побажання
1N4760A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760A R0G

частина: 121

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 68V, Толерантність: ±5%, Потужність - Макс: 1W, Опір (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 5µA @ 51.7V,

До побажання