Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

WF30-60B410

частина: 82

Зондування відстані: 1.181" (30mm), Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: PNP/NPN,

WF5-60B416

частина: 115

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: PNP/NPN,

WFM120-120N311

частина: 74

Зондування відстані: 4.724" (120mm), Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: NPN,

WF80-95B416

частина: 52

Зондування відстані: 3.150" (80mm), Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: PNP/NPN,

WFM120-120P311

частина: 49

Зондування відстані: 4.724" (120mm), Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: PNP,

WFM180-120P311

частина: 79

Зондування відстані: 7.087" (180mm), Метод зондування: Optical Flag, Вихідна конфігурація: PNP,

EE-SX1107-1

частина: 9619

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SV3-GS

частина: 6012

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1330

частина: 117478

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA,

QVB11324

частина: 6070

QVB11124

частина: 6026

OPB891P51Z

частина: 6007

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB871P51

частина: 6041

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB892T55

частина: 6078

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB870N51TXV

частина: 302

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB875T55

частина: 9703

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB810W55

частина: 6059

Зондування відстані: 0.375" (9.53mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB828B

частина: 35772

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB867L51

частина: 5917

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB870N55TXV

частина: 309

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB845L11

частина: 5939

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB831W51

частина: 6080

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

OPB390L11

частина: 5926

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

HOA0881-L55

частина: 12069

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Transistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

HOA0872-N55

частина: 10464

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Transistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX770R 5M

частина: 814

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Open Collector/Dark-ON,

EE-SX910P-R 3M

частина: 6049

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Open Collector,

EE-SX970-C1

частина: 2341

Зондування відстані: 0.020" (0.5mm), Метод зондування: Transmissive, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX950P-R 1M

частина: 2524

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SX910-R 1M

частина: 6041

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Open Collector,

EE-SX913P-R 3M

частина: 1815

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: PNP - Open Collector,

PM-K44-C3

частина: 6114

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

PM-T44

частина: 6059

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

CNA1303K

частина: 5951

Зондування відстані: 0.047" (1.2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

GP1S273LCS1F

частина: 5961

RPI-131

частина: 6072

Зондування відстані: 0.047" (1.2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,