Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

DMN2040LSD-13

частина: 2799

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

ZXMD65N02N8TA

частина: 2663

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 700mV @ 250µA (Min),

ZDM4206NTA

частина: 2634

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 1mA,

DMN32D2LDF-7

частина: 157687

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 400mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

SI4947ADY-T1-GE3

частина: 2852

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

SI1913DH-T1-E3

частина: 2766

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 100µA,

SI4276DY-T1-GE3

частина: 2851

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

SI3905DV-T1-GE3

частина: 2849

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 250µA (Min),

SI4913DY-T1-GE3

частина: 2852

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 500µA,

SI3909DV-T1-GE3

частина: 2826

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 500mV @ 250µA (Min),

SI4944DY-T1-GE3

частина: 2874

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SI4933DY-T1-GE3

частина: 2815

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 500µA,

SI7909DN-T1-GE3

частина: 2908

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 700µA,

SI7844DP-T1-E3

частина: 3302

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

SI4567DY-T1-GE3

частина: 2812

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

NTTD1P02R2G

частина: 2740

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

FDW2601NZ

частина: 2725

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

FDG6314P

частина: 2687

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V,

FDC6322C

частина: 2713

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220mA, 460mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

NTLGD3502NT1G

частина: 2831

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 250µA,

NTLJD2105LTBG

частина: 2816

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

NTHD5902T1

частина: 2641

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

FDZ2553NZ

частина: 2698

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

IRF7104PBF

частина: 100274

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

IRF7328TR

частина: 2700

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

IRF7304PBF

частина: 67896

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 700mV @ 250µA,

IRF7530TR

частина: 2684

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

IRF7755

частина: 2693

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

IRF7350TRPBF

частина: 3331

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.1A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 250µA,

IRF7306QTRPBF

частина: 2778

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

STS3DPF60L

частина: 2674

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

VMM1000-01P

частина: 2737

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1000A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 800A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 10mA,

FMM300-0055P

частина: 2746

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 2mA,

QJD1210SB1

частина: 2931

SP8M8TB

частина: 3276

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

PHKD13N03LT,518

частина: 123779

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 250µA,