Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

DMC1030UFDBQ-13

частина: 156497

Тип FET: N and P-Channel Complementary, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

DMN62D0UT-13

частина: 146726

DMP57D5UV-7

частина: 2791

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

RJM0603JSC-00#12

частина: 2981

Тип FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

NTLUD3A260PZTBG

частина: 162644

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

частина: 97245

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 74A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

FDS8949

частина: 64827

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

частина: 174892

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 24V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

частина: 2659

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

частина: 2692

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A, 3.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

частина: 2688

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, 150mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

частина: 2763

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

частина: 2667

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

частина: 2953

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

частина: 2669

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 16V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

частина: 2971

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

GWM180-004X2-SL

частина: 3066

Тип FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4.5V @ 1mA,

SI4830CDY-T1-E3

частина: 135865

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 1mA,

SI5935DC-T1-E3

частина: 3338

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

SI6969BDQ-T1-GE3

частина: 2845

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 800mV @ 250µA,

SI3585DV-T1-E3

частина: 2733

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 600mV @ 250µA (Min),

SI4916DY-T1-E3

частина: 159074

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A, 10.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SI7872DP-T1-E3

частина: 71511

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SI6966DQ-T1-E3

частина: 2873

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

SI4992EY-T1-E3

частина: 2722

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SI4967DY-T1-GE3

частина: 3379

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 250µA (Min),

SI1972DH-T1-E3

частина: 2739

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.8V @ 250µA,

SIA920DJ-T1-GE3

частина: 118547

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 700mV @ 250µA,

SI3588DV-T1-E3

частина: 2762

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A, 570mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 250µA (Min),

SI4388DY-T1-GE3

частина: 2870

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.7A, 11.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

STS3DNE60L

частина: 2665

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

STS5DNF20V

частина: 2698

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 600mV @ 250µA,

IRF7901D1TR

частина: 2718

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

IRF7324

частина: 2912

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

IRF7752

частина: 2653

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 250µA,

SSM6L36FE,LM

частина: 107404

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA, 330mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,