Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

FDMC89521L

частина: 82261

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NT1G

частина: 6477

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.8A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 20µA,

MVDF2C03HDR2G

частина: 3013

Тип FET: N and P-Channel Complementary, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

ECH8662-TL-HX

частина: 3098

FDS9958

частина: 153191

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

FDC8602

частина: 148680

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 250µA,

EFC6618R-A-TF

частина: 2949

NTMD2C02R2SG

частина: 2975

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

NTMFD4C85NT3G

частина: 32493

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15.4A, 29.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,

DMP3056LSD-13

частина: 196313

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,

DMG1029SV-7

частина: 173094

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA, 360mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

DMC25D1UVT-13

частина: 110745

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA, 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

DMP2060UFDB-13

частина: 197487

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

DMN2014LHAB-7

частина: 140079

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.1V @ 250µA,

DMC1029UFDB-7

частина: 193190

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A, 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

ZXMP6A16DN8TC

частина: 144095

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA (Min),

DMNH4026SSD-13

частина: 144862

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

DMN5L06VAK-7

частина: 124182

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

DMC3032LSD-13

частина: 156719

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.1A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,

SI4965DY-T1-GE3

частина: 3019

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 450mV @ 250µA (Min),

SI1902CDL-T1-GE3

частина: 181662

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

SIA936EDJ-T1-GE3

частина: 3020

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.3V @ 250µA,

SQ4532AEY-T1_GE3

частина: 10809

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

CSD87502Q2

частина: 178572

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 250µA,

CSD86336Q3D

частина: 10837

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

CSD87335Q3DT

частина: 56706

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.9V @ 250µA,

CAS100H12AM1

частина: 3335

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 168A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.1V @ 50mA,

TSM9926DCS RLG

частина: 10840

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 600mV @ 250µA,

STL36DN6F7

частина: 192116

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 250µA,

MMIX2F60N50P3

частина: 257

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 5V @ 4mA,

FMM110-015X2F

частина: 4783

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 55A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4.5V @ 250µA,

EPC2101ENG

частина: 2948

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: GaNFET (Gallium Nitride), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 2mA,

EPC2100ENGRT

частина: 14216

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: GaNFET (Gallium Nitride), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

IRF7501TRPBF

частина: 166411

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 700mV @ 250µA,

IRF7329PBF

частина: 48234

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 250µA,

SMA5118

частина: 6518

Тип FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 1mA,