Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо

NSBA113EDXV6T1

частина: 3203

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN5311DW1T1G

частина: 171080

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

До побажання

NSBC143ZPDP6T5G

частина: 133800

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN5231DW1T1G

частина: 74853

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN5332DW1T1G

частина: 1524

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

До побажання

NSVBC143ZPDXV6T5G

частина: 167892

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

NSBA123JDP6T5G

частина: 165090

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN5236DW1T1

частина: 1402

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN5134DW1T1G

частина: 90827

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

XN0111300L

частина: 1404

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

XN0421F00L

частина: 115664

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

До побажання

XP0338300L

частина: 164209

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

До побажання

XP0431300L

частина: 1484

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

UP04211G0L

частина: 153938

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

До побажання

NP061A500A

частина: 1504

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

NP0G1AE00A

частина: 1404

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

До побажання

XP0111000L

частина: 3160

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

DMC264050R

частина: 129477

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

DCX115EU-7-F

частина: 120405

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

До побажання

DDC114YH-7

частина: 180499

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDA143TU-7

частина: 1511

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DDA144EU-7-F

частина: 166251

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

До побажання

DCX122LU-7-F

частина: 152983

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 220 Ohms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

До побажання

DDC114TH-7

частина: 175851

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

PIMH9,115

частина: 180289

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

До побажання

PBLS4003Y,115

частина: 189757

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

До побажання

PUMH17,115

частина: 144227

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

До побажання

PRMD2Z

частина: 141383

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

До побажання

PEMD3,115

частина: 108727

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання

UMF24NTR

частина: 1553

Транзисторний тип: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання

IMH10AT110

частина: 162433

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

UMH5NTR

частина: 167920

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

До побажання

IMB1AT110

частина: 165612

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

До побажання