Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

DMC506010R

частина: 127318

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

До побажання

DMG204B00R

частина: 145445

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, 10V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V,

До побажання

DMC904010R

частина: 180758

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

До побажання

DMG204020R

частина: 148738

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

До побажання

PBSS5260PAPSX

частина: 190970

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 110 @ 1A, 2V,

До побажання

PBSS5220PAPSX

частина: 146612

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

До побажання

PBSS4160PAN,115

частина: 111263

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

До побажання

NMB2227AH

частина: 179406

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

ZXTDB2M832TA

частина: 4396

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4.5A, 3.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 25nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

До побажання

ZDT649TC

частина: 4459

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

До побажання

MMDT2907A-7

частина: 4520

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

До побажання

ULN2003AD16-U

частина: 122050

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

ULN2003AS16-13

частина: 190957

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

MMDT5451-7

частина: 4477

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V,

До побажання

HN1C01FYTE85LF

частина: 111105

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

частина: 4492

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

частина: 4430

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання

MCH6544-TL-E

частина: 111253

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 800 @ 10mA, 2V,

До побажання

MCH6203-TL-E

частина: 197865

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

До побажання

NSV60101DMTWTBG

частина: 149959

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

До побажання

MBT3946DW1T1

частина: 4434

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

NST3904DXV6T5G

частина: 114544

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

CPH5517-TL-E

частина: 170389

Транзисторний тип: NPN, PNP (Common Base), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

До побажання

NCV1413BDR2G

частина: 107834

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання

ULN2803ANG4

частина: 4474

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

До побажання

ULN2003AIDR

частина: 179638

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

ULN2003AIN

частина: 86197

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA,

До побажання

ULN2803ADWG4

частина: 46125

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

До побажання