Транзистори - біполярні (BJT) - масиви | Дискретні напівпровідникові вироби | 39

MAT01GH

частина: 3534

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 400nA,

До побажання

Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

частина: 17521

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V,

До побажання

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

частина: 11095

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 3nA,

До побажання

Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

частина: 4479

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 36V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

До побажання

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

частина: 105089

Транзисторний тип: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

частина: 120

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

До побажання

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

частина: 123

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

частина: 148127

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

частина: 117231

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

частина: 155883

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

частина: 198170

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

частина: 141674

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

частина: 97

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

частина: 169332

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

частина: 175944

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

частина: 152851

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

До побажання

ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

частина: 166597

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

частина: 125941

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

частина: 148007

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

До побажання

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

частина: 4480

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

До побажання

ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

частина: 165488

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

частина: 196459

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 65V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

частина: 170917

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

частина: 147868

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

До побажання

ON Semiconductor

FMB5551

частина: 161037

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

частина: 4629

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 4.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 25nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V,

До побажання

Diodes Incorporated

ZDT705TC

частина: 4410

Транзисторний тип: 2 PNP Darlington (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

До побажання

Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

частина: 9974

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V,

До побажання

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

частина: 4491

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

частина: 4488

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання

Sanken

SMA6010

частина: 14708

Транзисторний тип: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

частина: 4365

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

частина: 167758

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

До побажання

Central Semiconductor Corp

MPQ6700

частина: 15034

Транзисторний тип: 2 NPN, 2 PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

До побажання

Renesas Electronics America Inc.

CA3083

частина: 4402

Транзисторний тип: 5 NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 3V,

До побажання

STMicroelectronics

ULN2804A

частина: 67807

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

До побажання