Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні, попередн

DTC114EEBTL

частина: 130686

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання

DTC114TUBTL

частина: 185827

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DTA114YEBTL

частина: 131557

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

До побажання

DTC115GKAT146

частина: 103060

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

До побажання

DTA115GKAT146

частина: 130570

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

До побажання

DTC015TEBTL

частина: 192625

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

До побажання

DTC143EEBTL

частина: 116768

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTC143ZUBTL

частина: 140523

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTA123JUBTL

частина: 118461

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

До побажання

DTB143ECT216

частина: 108871

До побажання

DTC143TEBTL

частина: 104057

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

DTA114EEBTL

частина: 199791

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

До побажання

DTD123YCT116

частина: 163217

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

До побажання

MMUN2115LT1G

частина: 135405

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

FJY4011R

частина: 1891

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

MMUN2136LT1G

частина: 196001

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN2214T1G

частина: 101929

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

MMUN2233LT1G

частина: 137186

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

MUN5231T1G

частина: 181946

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

До побажання

DTA114YET1G

частина: 187363

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

До побажання

SMMUN2111LT1G

частина: 192773

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

До побажання

DTC143TET1G

частина: 127293

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

До побажання

FJN4309RTA

частина: 193981

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

До побажання

MMUN2217LT1G

частина: 119031

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

До побажання

PDTA114YUF

частина: 172898

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

До побажання

PDTC123EU,115

частина: 196761

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 2.2 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

До побажання

PDTA114ET,215

частина: 132687

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання

PDTA113EU,115

частина: 167465

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 1 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

До побажання

PDTC115ET,215

частина: 136920

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 100 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

До побажання

PDTA124ET,235

частина: 123136

Транзисторний тип: PNP - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

До побажання

PDTC123JT,235

частина: 198821

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

До побажання

PDTC144EU,135

частина: 151492

Транзисторний тип: NPN - Pre-Biased, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

До побажання