Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
0Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - Масиви

RB088NS100FHTL
Rohm Semiconductor

RB088NS100FHTL

частина: 75

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 870mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
UMR12NTN
Rohm Semiconductor

UMR12NTN

частина: 104990

Конфігурація діодів: 2 Pair Series Connection, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання
MBRS15200CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

частина: 112

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 7.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

частина: 86

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 900mV @ 30A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRS20200CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

частина: 173

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 990mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

частина: 90

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
SRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

частина: 82

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 900mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

частина: 114

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 840mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRS1090CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

частина: 85

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
SRF1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

частина: 168

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 900mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR2590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

частина: 126

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 25A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

частина: 113

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 25A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 920mV @ 25A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRF10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

частина: 163

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 980mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR20200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

частина: 83

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.02V @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR2060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

частина: 125

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRS10H150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

частина: 93

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 970mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
HER1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

частина: 152

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
SR3040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

частина: 123

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
FST30100
Microsemi Corporation

FST30100

частина: 15979

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-47CTQ020-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1-M3

частина: 67559

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-MBRB2080CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTRHM3

частина: 72578

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-16CTQ100-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1-M3

частина: 86952

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 8A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 720mV @ 8A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-32CTQ030STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRRHM3

частина: 52467

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 490mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-20CTQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035HN3

частина: 49342

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 35V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 570mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-MBRB20100CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTLHM3

частина: 72585

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
VS-40CPQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ060-N3

частина: 15163

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 40A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 680mV @ 40A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRF10200CT-JT
Diodes Incorporated

MBRF10200CT-JT

частина: 113089

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 910mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBR2050CT-G
Comchip Technology

MBR2050CT-G

частина: 114599

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
CDBT-40S-G
Comchip Technology

CDBT-40S-G

частина: 190055

Конфігурація діодів: 1 Pair Series Connection, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 200mA (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 40mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання
CDBD2040-G
Comchip Technology

CDBD2040-G

частина: 111181

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 20A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
NRVHP8H200MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

частина: 78

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 910mV @ 8A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
MBRB20H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

частина: 99761

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 770mV @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

До побажання
HN2S02JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

частина: 151

Конфігурація діодів: 2 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 600mV @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання
HN2S01FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

частина: 111

Конфігурація діодів: 3 Independent, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 10V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

частина: 99

Конфігурація діодів: 2 Pair Common Cathode, Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 100mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.2V @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання
DB3X315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3X315E0L

частина: 108903

Конфігурація діодів: 1 Pair Common Cathode, Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Іо) (на діод): 30mA (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 30mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

До побажання