Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - РФ

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

частина: 176347

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 8V, Частота - перехід: 1.5GHz, Потужність - Макс: 400mW,

До побажання
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

частина: 194654

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 8V, Частота - перехід: 1.5GHz, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

частина: 129846

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 1.7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.8dB @ 150MHz, Посилення: 16dB, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

частина: 145975

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 4V, Частота - перехід: 10GHz ~ 12.5GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.5dB @ 2GHz, Посилення: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

частина: 102087

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 10V, Частота - перехід: 8GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Посилення: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

частина: 149544

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 10V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB @ 1GHz, Посилення: 12dB, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

частина: 107074

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 4.7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.8dB @ 1GHz, Посилення: 8dB, Потужність - Макс: 1.3W,

До побажання
10A060
Microsemi Corporation

10A060

частина: 605

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Частота - перехід: 1GHz, Посилення: 8dB ~ 8.5dB, Потужність - Макс: 21W,

До побажання
2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

частина: 2413

Транзисторний тип: PNP, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Показник шуму (дБ Тип @ f): 3.5dB @ 450MHz, Посилення: 25dB, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2A8
Microsemi Corporation

2A8

частина: 697

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 21V, Частота - перехід: 2GHz, Посилення: 7dB ~ 9dB, Потужність - Макс: 5.3W,

До побажання
23A025
Microsemi Corporation

23A025

частина: 549

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 22V, Частота - перехід: 3.7GHz, Посилення: 6dB ~ 6.3dB, Потужність - Макс: 9W,

До побажання
2307
Microsemi Corporation

2307

частина: 648

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 42V, Частота - перехід: 2.3GHz, Посилення: 8dB, Потужність - Макс: 20.5W,

До побажання
2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

частина: 113796

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Частота - перехід: 300MHz, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

частина: 145036

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Частота - перехід: 300MHz, Потужність - Макс: 150mW,

До побажання
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

частина: 183409

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 6V, Частота - перехід: 800MHz, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

частина: 149510

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 6V, Частота - перехід: 800MHz, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

частина: 144

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Посилення: 13dB, Потужність - Макс: 150mW,

До побажання
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

частина: 170

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Посилення: 11dB, Потужність - Макс: 150mW,

До побажання
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

частина: 171976

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Частота - перехід: 550MHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Посилення: 17dB ~ 23dB, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

частина: 111075

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

частина: 128600

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Посилення: 11dB ~ 16.5dB, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

частина: 121034

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

частина: 190

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

частина: 170

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

частина: 187

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 10V, Частота - перехід: 10GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.8dB @ 2GHz, Посилення: 13dB ~ 7dB, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

частина: 173074

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

частина: 128

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 10V, Частота - перехід: 10GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.8dB @ 2GHz, Посилення: 13dB ~ 7.5dB, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

частина: 124837

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Частота - перехід: 550MHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Посилення: 17dB ~ 23dB, Потужність - Макс: 100mW,

До побажання
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

частина: 152602

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Посилення: 11dB, Потужність - Макс: 150mW,

До побажання
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

частина: 162523

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 7GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Потужність - Макс: 150mW,

До побажання
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

частина: 11976

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 2GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 4.5dB @ 200MHz, Посилення: 15dB, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

частина: 11009

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Частота - перехід: 600MHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 6dB @ 60kHz, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

частина: 25708

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Частота - перехід: 500MHz, Посилення: 10dB, Потужність - Макс: 1W,

До побажання
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

частина: 10939

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Частота - перехід: 1.9GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 4.5dB @ 450MHz, Потужність - Макс: 200mW,

До побажання
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

частина: 7357

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Частота - перехід: 6.5GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.8dB @ 1GHz, Посилення: 10dB, Потужність - Макс: 1.2W,

До побажання
2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

частина: 7305

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 6V, Частота - перехід: 12GHz, Показник шуму (дБ Тип @ f): 1.5dB @ 2GHz, Посилення: 8.5dB, Потужність - Макс: 125mW,

До побажання