Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 4.5V, Поточний рейтинг: 1A, Фігура шуму: 1.1dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 900MHz, Посилення: 17.2dB, Напруга - тест: 4V, Поточний рейтинг: 300mA, Фігура шуму: 0.8dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 12GHz, Посилення: 12dB, Напруга - тест: 1.5V, Поточний рейтинг: 45mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 4GHz, Посилення: 15.8dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 40mA, Фігура шуму: 0.6dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 4.5V, Поточний рейтинг: 500mA, Фігура шуму: 1.5dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 4.5V, Поточний рейтинг: 1A, Фігура шуму: 1dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 14.8dB, Напруга - тест: 4.5V, Поточний рейтинг: 1A, Фігура шуму: 1.4dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 4.5V, Поточний рейтинг: 500mA, Фігура шуму: 1.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 4V, Поточний рейтинг: 145mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 4V, Поточний рейтинг: 300mA, Фігура шуму: 0.6dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 17.7dB, Напруга - тест: 2.7V, Поточний рейтинг: 100mA, Фігура шуму: 0.6dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 2.7V, Поточний рейтинг: 100mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 4V, Поточний рейтинг: 305mA, Фігура шуму: 0.6dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 16.6dB, Напруга - тест: 3V, Поточний рейтинг: 120mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 3V, Поточний рейтинг: 120mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 4V, Поточний рейтинг: 305mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 80mA, Фігура шуму: 0.4dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 3V, Поточний рейтинг: 100mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 2GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 145mA, Фігура шуму: 0.4dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 900MHz, Посилення: 17.2dB, Напруга - тест: 4V, Поточний рейтинг: 300mA, Фігура шуму: 0.8dB,
Транзисторний тип: E-pHEMT, Частота: 2GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 3V, Поточний рейтинг: 120mA, Фігура шуму: 0.5dB,
