Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

AOD2C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD2C60

частина: 1810

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
AO4292
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4292

частина: 1781

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання
AOWF10T60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF10T60P

частина: 1807

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
AOWF11C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF11C60

частина: 1854

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

До побажання
AOW10T60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW10T60P

частина: 1824

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
AOTF12T50P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF12T50P

частина: 120008

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання
AOTF10T60PL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10T60PL

частина: 1856

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
AOI530
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI530

частина: 1803

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
AOI4C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI4C60

частина: 1849

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.3A, 10V,

До побажання
AOD9N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD9N50

частина: 71829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860 mOhm @ 4.5A, 10V,

До побажання
AOD240
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD240

частина: 126873

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
AOD4130
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4130

частина: 147508

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), 30A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
AOD508
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD508

частина: 136436

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
AOD256
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD256

частина: 160196

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), 19A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
AOTF10T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10T60

частина: 1741

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
AOD7S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD7S60

частина: 105680

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

До побажання
AOD7S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD7S65

частина: 113840

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

До побажання
AOB12N60FDL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB12N60FDL

частина: 80037

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання
AOT10T60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT10T60L

частина: 1670

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
AON6544
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6544

частина: 1708

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), 85A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
AUIRF3205Z
Infineon Technologies

AUIRF3205Z

частина: 26178

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

До побажання
AUIRFZ24NS
Infineon Technologies

AUIRFZ24NS

частина: 94454

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
APTML50UM90R020T1AG
Microsemi Corporation

APTML50UM90R020T1AG

частина: 1625

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V,

До побажання
APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation

APTM120DA30CT1G

частина: 1333

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
APTML20UM18R010T1AG
Microsemi Corporation

APTML20UM18R010T1AG

частина: 1604

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 109A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
APT14M100S
Microsemi Corporation

APT14M100S

частина: 8207

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання
APT18M80S
Microsemi Corporation

APT18M80S

частина: 1606

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

До побажання
APT12057JLL
Microsemi Corporation

APT12057JLL

частина: 1638

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
APT53N60SC6
Microsemi Corporation

APT53N60SC6

частина: 1604

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

До побажання
APT12067JLL
Microsemi Corporation

APT12067JLL

частина: 1582

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
APTM100DA18CT1G
Microsemi Corporation

APTM100DA18CT1G

частина: 6180

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

До побажання
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

частина: 1620

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 95A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

До побажання
APTC90DAM60CT1G
Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

частина: 1078

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 59A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

До побажання
APT33N90JCCU3
Microsemi Corporation

APT33N90JCCU3

частина: 1668

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

До побажання
APT33N90JCCU2
Microsemi Corporation

APT33N90JCCU2

частина: 2047

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

До побажання
APT20M120JCU3
Microsemi Corporation

APT20M120JCU3

частина: 2243

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання