Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

AO4492

частина: 166506

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

AO3162

частина: 194519

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

AOT296L

частина: 83357

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.5A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

AOD480

частина: 185659

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V,

AOTF12N50

частина: 116888

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

AOWF12N60

частина: 111030

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

AO6415

частина: 139585

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.3A, 10V,

AOB2500L

частина: 35536

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

AOI2610E

частина: 106707

AOB11S60L

частина: 64911

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

AON6266E

частина: 197327

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2 mOhm @ 20A, 10V,

AOK8N80

частина: 43563

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 4A, 10V,

AOTF3N80

частина: 129034

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

AON6458

частина: 117414

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 10A, 10V,

AO4411

частина: 105604

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8A, 10V,

AOY423

частина: 110860

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 20A, 20V,

AOT482L

частина: 65587

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), 105A (Tc), Приводна напруга: 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AOB190A60L

частина: 53357

AOD2816

частина: 134774

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), 35A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

AOC2421

частина: 191688

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

AOWF10N65

частина: 123687

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

AOT7N70

частина: 154104

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V,

AOT12N30L

частина: 146992

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 6A, 10V,

AOB260L

частина: 44395

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

AO4459

частина: 190500

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 6.5A, 10V,

AO6409

частина: 156304

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

AOD423

частина: 195107

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOL1482

частина: 176188

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), 28A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 10A, 10V,

AON6264E

частина: 171213

AON7506

частина: 159672

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 12A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 12A, 10V,

AON7502

частина: 110859

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 30A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 10V,

AOB42S60L

частина: 24345

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 21A, 10V,

AON6796

частина: 99015

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

AOWF11N60

частина: 116833

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

AOTF12N30

частина: 164394

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 6A, 10V,

AON7422G

частина: 253

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,