Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

GTVA220701FA-V1-R0

частина: 92

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.805GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 48V,

PXAC180602MD-V1-R500

частина: 129

PTFB241402F-V1-R0

частина: 6393

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.4GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V,

CGHV35400F

частина: 187

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.9GHz ~ 3.5GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 45V, Поточний рейтинг: 24A,

PTFA092201E-V4-R0

частина: 6441

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 920MHz ~ 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,

CGHV96050F1

частина: 221

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 7.9GHz ~ 9.6GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 40V, Поточний рейтинг: 13A,

PTFB183404F-V2-R0

частина: 109

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V,

PTAB182002FC-V1-R250

частина: 146

CGH40006P

частина: 1327

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 6GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 3.5A,

PTFA180701E-V4-R250

частина: 6369

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.84GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

PTFB090901FA-V2-R0

частина: 86

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 19.5dB, Напруга - тест: 28V,

PTFB192503EL-V1-R250

частина: 6433

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 30V,

CGH27030S

частина: 1271

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 6GHz, Посилення: 18.3dB, Напруга - тест: 28V,

PTFB182503EL-V1-R250

частина: 4644

CGHV14500F

частина: 120

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 36A,

CGHV50200F

частина: 106

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 5GHz, Посилення: 11.8dB, Напруга - тест: 40V, Поточний рейтинг: 17A,

PXFC191507FC-V1-R250

частина: 107

PTFB091507FH-V1-R250

частина: 140

PTVA123501FC-V1-R250

частина: 165

PTFA072401FL-V5-R250

частина: 6458

PTFA211801E-V5-R0

частина: 6455

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

CGHV35150F

частина: 242

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.9GHz ~ 3.5GHz, Посилення: 13.3dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 12A,

PTFB213208FV-V1-R250

частина: 110

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

PTVA042502FC-V1-R250

частина: 125

CGHV1J070D-GP4

частина: 936

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 18GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 40V,

CGHV27015S

частина: 2246

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 6GHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 50V,

CGHV40320D-GP4

частина: 258

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 4GHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 50V,

PTRA084808NF-V1-R5

частина: 106

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Common Source, Частота: 734MHz ~ 821MHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 48V, Поточний рейтинг: 10µA,

CGH60015D-GP4

частина: 465

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 6GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V,

CGHV22100F

частина: 632

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 6A,

PTFB183404E-V1-R0

частина: 158

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V,

CG2H80030D-GP4

частина: 141

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 8GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,

PTFB211503FL-V2-R250

частина: 164

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V,

PTFB072707FH-V1-R0

частина: 81

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 768MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

PXAC241702FC-V1-R250

частина: 6418

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.4GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,

PTVA123501FC-V1-R0

частина: 164

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 50V,