Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

PXAC201202FC-V2-R0

частина: 6448

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.2GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 28V,

PTVA120251EA-V2-R0

частина: 400

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 50V,

PTAB182002FC-V1-R0

частина: 6410

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

CGHV40050F

частина: 410

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 4GHz, Посилення: 12.5dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 6.3A,

PTFA080551E-V4-R0

частина: 6375

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 869MHz ~ 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

CGHV27060MP

частина: 700

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.7GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 6.3A,

PTFB192503FL-V2-R250

частина: 86

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 30V,

PTVA093002ND-V1-R5

частина: 100

CGHV14250F

частина: 235

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 42mA,

PXAC182002FC-V1-R250

частина: 166

PXAC201602FC-V1-R0

частина: 157

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.02GHz, Посилення: 17.7dB, Напруга - тест: 28V,

PTVA120121M-V1-R1K

частина: 139

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 500MHz ~ 1.4GHz, Посилення: 21.64dB, Напруга - тест: 48V, Поточний рейтинг: 1µA,

CGHV40180F

частина: 339

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 1GHz, Посилення: 24dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 12.1A,

PTFA211801E-V5-R250

частина: 6467

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,

PTFB212503FL-V2-R250

частина: 107

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18.1dB, Напруга - тест: 30V,

PTFC262157SH-V1-R250

частина: 172

PTFA080551E-V4-R250

частина: 6373

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

PTVA030121EA-V1-R250

частина: 125

CGHV60040D-GP4

частина: 2936

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 6GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 50V,

PTFB213004F-V2-R0

частина: 143

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V,

CG2H40010F

частина: 749

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 8GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,

PTFC261402FC-V1-R0

частина: 114

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.69GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 28V,

CGHV60075D5-GP4

частина: 1374

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 6GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 50V,

PTVA104501EH-V1-R250

частина: 137

PTFA041501E-V4-R0

частина: 6392

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 420MHz ~ 500MHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 1µA,

CGHV40100F

частина: 265

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 3GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 8.7A,

PXAC261002FC-V1-R250

частина: 117

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.69GHz, Посилення: 15.1dB, Напруга - тест: 26V,

PTFB213004F-V2-R250

частина: 141

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V,

GTVA261701FA-V1-R2

частина: 124

PTVA035002EV-V1-R0

частина: 164

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 390MHz ~ 450MHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V,

PTRA093302FC-V1-R2

частина: 103

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 768MHz, Посилення: 17.25dB, Напруга - тест: 48V, Поточний рейтинг: 10µA,

PTFC262808FV-V1-R250

частина: 79

PTFB182503FL-V2-R0

частина: 79

Частота: 1.88GHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 30V,

PTFA220121M-V4-R1K

частина: 163

PTFC210202FC-V1-R250

частина: 77

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.2GHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 28V,

PTRA097008NB-V1-R2

частина: 152

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Common Source, Частота: 920MHz ~ 960MHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 10µA,