Діоди - Випрямлячі - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

BYG24G-M3/TR

частина: 160213

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

частина: 141773

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

частина: 131968

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

частина: 182415

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

частина: 178714

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

частина: 104636

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

частина: 136458

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

частина: 128490

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

частина: 129800

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1300V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.9V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

частина: 120649

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

частина: 155324

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

частина: 188118

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

частина: 135545

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

частина: 137182

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

частина: 196477

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

частина: 116559

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

частина: 167113

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

частина: 151425

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

частина: 167334

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

частина: 177836

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

частина: 116100

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

частина: 126510

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

частина: 113240

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

частина: 197556

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

частина: 112695

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

частина: 164441

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

частина: 174425

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

частина: 199071

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

частина: 120482

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

частина: 162395

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

частина: 109092

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

частина: 111717

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.6V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 120ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

частина: 162156

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.4V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

частина: 131985

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

частина: 142403

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 140ns,

Список побажань

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

частина: 178334

Тип діода: Avalanche, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 1.5A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 4µs,

Список побажань