Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 7.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6.6A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 900mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 370mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 220mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 840mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 860mA, 10V,
