Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.49A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 950mA (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.2A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.4A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.9A (Ta), 14A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19.2A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.6A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.7A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26.6A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.4A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 600mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3.9A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,
