Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

частина: 1075

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Список побажань
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

частина: 1020

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIE844DF-T1-GE3

SIE844DF-T1-GE3

частина: 1087

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44.5A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

Список побажань
SUM90P10-19-E3

SUM90P10-19-E3

частина: 1159

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

частина: 1184

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

частина: 6205

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

частина: 1113

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SUD50P10-43-E3

SUD50P10-43-E3

частина: 1087

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 9.4A, 10V,

Список побажань
SI7388DP-T1-E3

SI7388DP-T1-E3

частина: 1082

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

Список побажань
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

частина: 1086

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Список побажань
SI7476DP-T1-GE3

SI7476DP-T1-GE3

частина: 1107

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
SUM40N02-12P-E3

SUM40N02-12P-E3

частина: 1078

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI7495DP-T1-E3

SI7495DP-T1-E3

частина: 1090

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 4.5V,

Список побажань
SI7358ADP-T1-GE3

SI7358ADP-T1-GE3

частина: 1081

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 23A, 10V,

Список побажань
SI4860DY-T1-GE3

SI4860DY-T1-GE3

частина: 1031

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

Список побажань
SI1405BDH-T1-E3

SI1405BDH-T1-E3

частина: 1044

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Список побажань
SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

частина: 1120

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

Список побажань
SI7368DP-T1-GE3

SI7368DP-T1-GE3

частина: 1045

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

частина: 161281

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3A, 10V,

Список побажань
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

частина: 1038

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Список побажань
SI6465DQ-T1-GE3

SI6465DQ-T1-GE3

частина: 1118

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.8A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

Список побажань
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

частина: 199886

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Список побажань
SI7156DP-T1-E3

SI7156DP-T1-E3

частина: 6202

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SI4346DY-T1-E3

SI4346DY-T1-E3

частина: 157533

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.9A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

Список побажань
SI4836DY-T1-GE3

SI4836DY-T1-GE3

частина: 1061

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Список побажань
SI1300BDL-T1-GE3

SI1300BDL-T1-GE3

частина: 6182

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 400mA (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 250mA, 4.5V,

Список побажань
SI7452DP-T1-GE3

SI7452DP-T1-GE3

частина: 1130

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V,

Список побажань
SI7440DP-T1-E3

SI7440DP-T1-E3

частина: 1040

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 10V,

Список побажань
SI4688DY-T1-E3

SI4688DY-T1-E3

частина: 1079

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Список побажань
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

частина: 1014

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 4.5V,

Список побажань
SI7388DP-T1-GE3

SI7388DP-T1-GE3

частина: 1128

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

Список побажань
SI7454CDP-T1-GE3

SI7454CDP-T1-GE3

частина: 947

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SI1307DL-T1-GE3

SI1307DL-T1-GE3

частина: 1058

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 850mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

Список побажань
SUD06N10-225L-E3

SUD06N10-225L-E3

частина: 962

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 3A, 10V,

Список побажань
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

частина: 1065

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

Список побажань
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

частина: 1108

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 10V,

Список побажань