Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IRFU214PBF

IRFU214PBF

частина: 47595

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Список побажань
IRF510STRLPBF

IRF510STRLPBF

частина: 93309

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Список побажань
IRF624SPBF

IRF624SPBF

частина: 31643

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.6A, 10V,

Список побажань
IRLR120TRL

IRLR120TRL

частина: 44372

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

Список побажань
IRFR320TRRPBF

IRFR320TRRPBF

частина: 86140

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.9A, 10V,

Список побажань
IRFD024

IRFD024

частина: 38220

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V,

Список побажань
IRLR120

IRLR120

частина: 44307

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

Список побажань
SIHF5N50D-E3

SIHF5N50D-E3

частина: 48274

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
IRL510STRLPBF

IRL510STRLPBF

частина: 89411

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

Список побажань
IRFZ44STRLPBF

IRFZ44STRLPBF

частина: 46884

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Список побажань
IRF640STRRPBF

IRF640STRRPBF

частина: 42237

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

частина: 128

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 35A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V,

Список побажань
IRFZ34STRLPBF

IRFZ34STRLPBF

частина: 52747

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

Список побажань
IRLR120TRLPBF

IRLR120TRLPBF

частина: 99695

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

Список побажань
IRFZ24STRLPBF

IRFZ24STRLPBF

частина: 52751

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

частина: 139270

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Список побажань
IRLR014TRLPBF

IRLR014TRLPBF

частина: 112506

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

Список побажань
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

частина: 78332

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3

частина: 26418

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Список побажань
IRFI840GLCPBF

IRFI840GLCPBF

частина: 27321

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 2.7A, 10V,

Список побажань
IRFIB7N50APBF

IRFIB7N50APBF

частина: 25641

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
IRL640STRRPBF

IRL640STRRPBF

частина: 41940

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

Список побажань
SIR474DP-T1-RE3

SIR474DP-T1-RE3

частина: 113

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

частина: 72528

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
IRFR120TRRPBF

IRFR120TRRPBF

частина: 103886

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 10V,

Список побажань
IRF740ASTRRPBF

IRF740ASTRRPBF

частина: 42248

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Список побажань
IRFBC30APBF

IRFBC30APBF

частина: 21667

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Список побажань
IRF840STRLPBF

IRF840STRLPBF

частина: 45826

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Список побажань
IRF9Z24STRLPBF

IRF9Z24STRLPBF

частина: 59438

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

Список побажань
IRF9Z10

IRF9Z10

частина: 42923

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Список побажань
IRF840LCSPBF

IRF840LCSPBF

частина: 44933

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Список побажань
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

частина: 169864

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 16.2A, 10V,

Список побажань
IRF640STRLPBF

IRF640STRLPBF

частина: 80044

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

частина: 137486

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Список побажань
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

частина: 125160

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22.4A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
IRFD214PBF

IRFD214PBF

частина: 118912

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 450mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

Список побажань