Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 8A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 2.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 8V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 500mA, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 500mA, 8V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 44A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 10A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 97A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.1A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), 60A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 4.5V,
