Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Ta), 170A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 32A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 15V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A (Ta), Приводна напруга: 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 60A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 19A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 90A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Ta), 123A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 16A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 15V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), Приводна напруга: 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 15V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.18A (Ta), Приводна напруга: 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), 87A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 14A, 8V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 89A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 15A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 104A (Tc), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 60A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 15V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.27A (Ta), Приводна напруга: 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 35A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 113A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 56A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 17A, 8V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc), Приводна напруга: 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,
