Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
SR205HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR205HB0G

частина: 176

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S8JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S8JCHM6G

частина: 165

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 985mV @ 8A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS34L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34L RVG

частина: 99

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR205G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR205G B0G

частина: 126

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
SR220HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR220HB0G

частина: 152

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR460SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460SHR7G

частина: 119

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.25V @ 4A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
SK320B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320B M4G

частина: 156

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
ES1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DL M2G

частина: 139

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SR203HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR203HB0G

частина: 172

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
FR202G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR202G B0G

частина: 189

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
HER202G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER202G B0G

частина: 159

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
SR215HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR215HB0G

частина: 143

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
ES1CLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CLHRVG

частина: 170

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SFT16G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT16G A1G

частина: 163

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
FR302G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR302G A0G

частина: 115

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
S1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DL R3G

частина: 163

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS26LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHR3G

частина: 157

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1G M2G

частина: 151

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.5µs,

Список побажань
S1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL R3G

частина: 184

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
HER204G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER204G B0G

частина: 111

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
S1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL RVG

частина: 115

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GLHM2G

частина: 122

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
FR154G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR154G B0G

частина: 181

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
ES1LDHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LDHM2G

частина: 139

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
FR207G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR207G B0G

частина: 183

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
FR301G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR301G A0G

частина: 183

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
SR305HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR305HB0G

частина: 138

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR420 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420 B0G

частина: 137

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 890mV @ 4A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань
HER153G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER153G B0G

частина: 164

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
ES1JLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHR3G

частина: 108

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
RSFALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHR3G

частина: 168

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
MUR4L20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20 A0G

частина: 119

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 890mV @ 4A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань
SF3003PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF3003PT C0G

частина: 179

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 15A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
FR155GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR155GHA0G

частина: 111

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
S8GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S8GCHR7G

частина: 139

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 8A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 985mV @ 8A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RS3MHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3MHR7G

частина: 170

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань