Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
S1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RUG

частина: 116

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SR204HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR204HR0G

частина: 169

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS29LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHR3G

частина: 160

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 90V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RS1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL RUG

частина: 159

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
SS25L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L R3G

частина: 156

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
UG56GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56GHA0G

частина: 160

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 20ns,

Список побажань
SS110L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110L R3G

частина: 181

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
MUR420HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420HB0G

частина: 104

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 890mV @ 4A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань
SS26LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHRUG

частина: 95

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RS1KL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL RUG

частина: 140

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
RS1KL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL R3G

частина: 153

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
RSFGL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGL R3G

частина: 144

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
SS310LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310LHM2G

частина: 165

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 850mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS16L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16L RUG

частина: 140

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
LL4006G L0
Taiwan Semiconductor Corporation

LL4006G L0

частина: 189

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SRT16 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16 A1G

частина: 144

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1JL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL R3G

частина: 115

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS215L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L RUG

частина: 128

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS110L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110L RUG

частина: 182

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 800mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLHR3G

частина: 104

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL RUG

частина: 143

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SS22L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L R3G

частина: 91

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1KL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL RUG

частина: 101

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
HER206G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER206G B0G

частина: 114

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань
SS115L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115L RUG

частина: 108

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 900mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML RVG

частина: 159

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
HER207G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER207G B0G

частина: 157

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань
LL4007G L0
Taiwan Semiconductor Corporation

LL4007G L0

частина: 130

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
UG58GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58GHA0G

частина: 148

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.1V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 20ns,

Список побажань
SR215HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR215HA0G

частина: 172

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HER151G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER151G B0G

частина: 120

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
S3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3JHR7G

частина: 190

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.15V @ 3A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.5µs,

Список побажань
ES1FL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL RUG

частина: 174

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SK20H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK20H45 A0G

частина: 187

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 45V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 20A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SR205 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR205 A0G

частина: 193

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
ES1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1C R3G

частина: 154

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань