Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
UG2DHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2DHB0G

частина: 113

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань
S1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL M2G

частина: 104

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1JLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHRUG

частина: 167

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
ES1DLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLHM2G

частина: 131

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
HS1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1AL R3G

частина: 143

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
ES1HL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1HL R3G

частина: 181

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 500V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
SRT16 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16 A0G

частина: 117

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 700mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SS34LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34LHRUG

частина: 152

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RSFML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFML RUG

частина: 189

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
S1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL RUG

частина: 114

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
ES1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL R3G

частина: 187

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
HS1BL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1BL R3G

частина: 99

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 100V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 50ns,

Список побажань
MUR4L20HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20HB0G

частина: 117

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 4A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 890mV @ 4A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 25ns,

Список побажань
SS22LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHR3G

частина: 187

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
SFT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14G A1G

частина: 116

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
S1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHR3G

частина: 188

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
S1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLHRUG

частина: 172

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
S1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GL RUG

частина: 99

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
SS22L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L RUG

частина: 116

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
HS1JL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1JL R3G

частина: 137

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 75ns,

Список побажань
RSFJL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJL RUG

частина: 149

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
S1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHR3G

частина: 105

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 50V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
RS1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ML RUG

частина: 186

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
UG58G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58G B0G

частина: 131

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 2.1V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 20ns,

Список побажань
UG56G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56G A0G

частина: 185

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.55V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 20ns,

Список побажань
UG06CHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG06CHA0G

частина: 107

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 150V, Струм - середній випрямлений (Io): 600mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 950mV @ 600mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 15ns,

Список побажань
RS1JLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHM2G

частина: 121

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
RS1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GLHR3G

частина: 127

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 150ns,

Список побажань
SS24LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS24LHR3G

частина: 153

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
S1MLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHR3G

частина: 159

Тип діода: Standard, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 1A, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 1.8µs,

Список побажань
RS1ML R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ML R3G

частина: 146

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 1000V, Струм - середній випрямлений (Io): 800mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 800mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
SS36LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36LHM2G

частина: 161

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 750mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
RSFKLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKLHR3G

частина: 127

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 800V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 500ns,

Список побажань
RSFJLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJLHM2G

частина: 136

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 250ns,

Список побажань
SS14L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L RVG

частина: 151

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
ES1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GL RFG

частина: 174

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань