Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

STD12N50M2

частина: 70462

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5A, 10V,

STD7N52DK3

частина: 67598

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 525V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 3A, 10V,

STP90N55F4

частина: 67228

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 45A, 10V,

STD18NF25

частина: 75833

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V,

STD16N60M2

частина: 79838

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V,

STD2NK100Z

частина: 71997

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.85A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V,

STD95N4F3

частина: 72236

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

STD25NF10LA

частина: 78290

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12.5A, 10V,

STD155N3LH6

частина: 64928

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10V,

STD150N3LLH6

частина: 72209

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

STD100N10LF7AG

частина: 61653

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 40A, 10V,

STPLED627

частина: 65659

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 620V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

STP7NK40Z

частина: 52325

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.7A, 10V,

STD16N65M2

частина: 61646

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

STD7NM80-1

частина: 57323

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 3.25A, 10V,

STP70NF03L

частина: 43122

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 35A, 10V,

STB6NK60Z-1

частина: 67308

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

STD7N90K5

частина: 59861

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V,

STP6NK60Z

частина: 87459

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

STD12N60DM2AG

частина: 7849

STD11NM50N

частина: 63498

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 4.5A, 10V,

STD60NF55LT4

частина: 78317

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

STD80N4F6

частина: 86528

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 40A, 10V,

STN1NK60Z

частина: 180743

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 400mA, 10V,

STP60NF06FP

частина: 64321

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

STD16N50M2

частина: 60198

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.5A, 10V,

STD12N50DM2

частина: 81518

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 10V,

STFILED524

частина: 74121

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 525V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 2.2A, 10V,

STD6N95K5

частина: 56069

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

STD6N80K5

частина: 72576

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2A, 10V,

STD85N10F7AG

частина: 88094

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,

STD9N65M2

частина: 93071

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V,

STU12N60M2

частина: 40301

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

STU6N95K5

частина: 25672

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

STD10NM60ND

частина: 50412

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

STD5N95K3

частина: 66019

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 2A, 10V,