Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

STP15NM60ND

STP15NM60ND

частина: 49597

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V,

Список побажань
STD45NF75T4

STD45NF75T4

частина: 83935

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
STFW42N60M2-EP

STFW42N60M2-EP

частина: 7439

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 17A, 10V,

Список побажань
STK800

STK800

частина: 8636

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
STN4NF03L

STN4NF03L

частина: 141550

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V,

Список побажань
STP19NB20

STP19NB20

частина: 8638

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V,

Список побажань
STP20NE06L

STP20NE06L

частина: 8654

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
STF20NF20

STF20NF20

частина: 30174

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
STP3NK60Z

STP3NK60Z

частина: 45297

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

Список побажань
STN5PF02V

STN5PF02V

частина: 8645

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.2A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.1A, 4.5V,

Список побажань
IRF640

IRF640

частина: 8678

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9A, 10V,

Список побажань
STD50NH02LT4

STD50NH02LT4

частина: 8639

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 24V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
STB70NFS03LT4

STB70NFS03LT4

частина: 8633

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 35A, 10V,

Список побажань
STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG

частина: 27393

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

Список побажань
STP6NB90

STP6NB90

частина: 8629

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 3A, 10V,

Список побажань
STP7NB60

STP7NB60

частина: 8654

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.6A, 10V,

Список побажань
STP4NB80

STP4NB80

частина: 8640

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 2A, 10V,

Список побажань
STW20NB50

STW20NB50

частина: 8702

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
STB11NM80T4

STB11NM80T4

частина: 18806

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

Список побажань
STD1NK60T4

STD1NK60T4

частина: 195453

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Список побажань
STN3N40K3

STN3N40K3

частина: 190675

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 600mA, 10V,

Список побажань
STB30NF20

STB30NF20

частина: 47194

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
STW50NB20

STW50NB20

частина: 8663

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
STB18N55M5

STB18N55M5

частина: 5936

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192 mOhm @ 8A, 10V,

Список побажань
STL100NH3LL

STL100NH3LL

частина: 8663

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Список побажань
STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP

частина: 137221

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V,

Список побажань
STN2NF10

STN2NF10

частина: 159867

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.2A, 10V,

Список побажань
STN1HNK60

STN1HNK60

частина: 126864

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 400mA (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Список побажань
STK38N3LLH5

STK38N3LLH5

частина: 8701

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 mOhm @ 19A, 10V,

Список побажань
IRF730

IRF730

частина: 8691

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V,

Список побажань
IRF530

IRF530

частина: 8670

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7A, 10V,

Список побажань
IRFP450

IRFP450

частина: 8654

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Список побажань
STY60NK30Z

STY60NK30Z

частина: 6270

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 30A, 10V,

Список побажань
STFW38N65M5

STFW38N65M5

частина: 9740

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

Список побажань
STB25NM50N-1

STB25NM50N-1

частина: 9974

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
STP20NF06

STP20NF06

частина: 5919

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань