Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 21A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 6A, 20V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 60A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 520V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 13.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 24A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 60A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 21A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1050V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 620V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 17A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 620V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 17A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 78A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 39A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V,
