Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

STE145N65M5

частина: 1155

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 143A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 69A, 10V,

STP210N75F6

частина: 11203

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 60A, 10V,

STFI18N65M2

частина: 47322

STP7N90K5

частина: 24268

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810 mOhm @ 4A, 10V,

STF12N65M5

частина: 21564

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.3A, 10V,

STW3N170

частина: 15090

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1.3A, 10V,

STF100N6F7

частина: 34399

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 23A, 10V,

STF18NM60ND

частина: 47525

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.5A, 10V,

STW13N60M2

частина: 21859

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

STFI16N65M2

частина: 52862

STU2N105K5

частина: 34772

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1050V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 750mA, 10V,

STW38N65M5-4

частина: 14872

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

STP9NK65ZFP

частина: 22749

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.2A, 10V,

STF20N90K5

частина: 9758

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

STP34NM60ND

частина: 7199

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14.5A, 10V,

STB47N60DM6AG

частина: 290

STFH24N60M2

частина: 22899

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V,

STY105NM50N

частина: 3233

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 52A, 10V,

STF28N60DM2

частина: 12474

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V,

STF5NK100Z

частина: 18189

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.75A, 10V,

STY112N65M5

частина: 2054

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 96A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 47A, 10V,

STY50N105DK5

частина: 2895

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1050V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

STFI15N95K5

частина: 14918

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

STP19NM50N

частина: 19546

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7A, 10V,

STP18N60DM2

частина: 26049

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6A, 10V,

STP34NM60N

частина: 8895

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 14.5A, 10V,

STFI9N60M2

частина: 90052

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 3A, 10V,

STF32NM50N

частина: 11541

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 11A, 10V,

STP10N95K5

частина: 16651

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

STF9HN65M2

частина: 53482

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 2.5A, 10V,

STF23NM60ND

частина: 25902

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V,

STW26NM60ND

частина: 10288

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10.5A, 10V,

STP2N105K5

частина: 31228

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1050V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 750mA, 10V,

STP20NM50FD

частина: 20593

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

STW20NM60FD

частина: 17396

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V,

STP46NF30

частина: 17075

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V,