Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 22

MSM5117400F-60TDR1L

частина: 4230

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR44V064AMAZAAB

частина: 4585

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5118165F-60T3K-MT

частина: 5785

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM51V18165F-60T3

частина: 9097

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 104ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5118160F-60J3-7

частина: 9130

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5117405F-60J3-7

частина: 9045

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60J3-7

частина: 9041

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MD51V65165E-50TAZ0AR

частина: 9114

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 84ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5118165F-60J3-7

частина: 9101

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM51V18165F-60J3-7

частина: 9146

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 104ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR45V032AMAZBATL

частина: 2759

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Тактова частота: 15MHz,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5117405F-60T-DKX

частина: 6956

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5118160F-60T3K-MT

частина: 7416

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60T3-K-7

частина: 7945

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM51V17400F-60TDKX

частина: 9193

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM5412222B-25TK-MTL

частина: 9000

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 3Mb (256K x 12), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM51V18160F-60T3-K7

частина: 8322

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR48V256ATAZBARL

частина: 12577

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 150ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM51V17405F-60T3-K

частина: 10649

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (4M x 4), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 104ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR45V256AMAZAAT-L

частина: 18207

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Тактова частота: 15MHz,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR44V100AMAZAATL

частина: 219

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR45V100AMAZAATL

частина: 214

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 40MHz,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MD56V62160M-7TAZ0AX

частина: 16646

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 143MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 7ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MSM56V16160K8T3K

частина: 2745

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (512K x 16 x 2), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR44V064BMAZAATL

частина: 10765

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 3.4MHz,

Список побажань

Rohm Semiconductor

MR45V064BMAZAATL

частина: 167

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Тактова частота: 40MHz,

Список побажань