Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

RSE002P03TL

частина: 107465

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V,

ES6U41T2R

частина: 121388

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

RUQ050N02TR

частина: 90419

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V,

RTQ030P02TR

частина: 177337

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V,

RDD023N50TL

частина: 172602

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 Ohm @ 1A, 10V,

RSD050N06TL

частина: 103030

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 5A, 10V,

RRH040P03TB1

частина: 126461

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4A, 10V,

RAQ045P01MGTCR

частина: 142416

RSQ015N06TR

частина: 137056

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1.5A, 10V,

RTQ040P02TR

частина: 100932

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V,

RT1C060UNTR

частина: 123676

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V,

QS5U33TR

частина: 199374

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 10V,

RSH090N03TB1

частина: 166922

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V,

QS5U34TR

частина: 162240

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

RW1C025ZPT2CR

частина: 132856

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

RSS050P03TB

частина: 176163

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

RSF010P03TL

частина: 153096

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V,

RW1A020ZPT2R

частина: 150330

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

RVQ040N05TR

частина: 158996

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

RSD046P05TL

частина: 131947

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 4.5A, 10V,

RS1E300GNTB

частина: 167451

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

RUM001L02T2CL

частина: 109554

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

RQ6C065BCTCR

частина: 117576

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

RW1A025APT2CR

частина: 171638

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

RE1E002SPTCL

частина: 180730

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 250mA, 10V,

RQ6E085BNTCR

частина: 193093

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V,

US5U38TR

частина: 150602

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V,

RQ6E055BNTCR

частина: 108645

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.5A, 10V,

RTR020N05TL

частина: 105494

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 2A, 4.5V,

RTL020P02TR

частина: 199936

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

RW1E014SNT2R

частина: 112935

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.4A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V,

RSR030N06TL

частина: 104125

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 10V,

RSR020P05FRATL

частина: 180572

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2A, 10V,

RW1C020UNT2R

частина: 169771

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

RSQ030P03TR

частина: 108193

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V,

QS5U27TR

частина: 100813

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V,