Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

Додому
Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY193

частина: 93365

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 18V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5-B

частина: 8947

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY191

частина: 2757

Зондування відстані: 0.178" (4.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY169A

частина: 5463

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY124

частина: 2709

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY1200

частина: 48893

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY201

частина: 2779

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 15mA, Тип виходу: Photodarlington,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY113

частина: 12359

Зондування відстані: 0.173" (4.4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY125

частина: 2778

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY171

частина: 18679

Зондування відстані: 0.138" (3.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY169

частина: 3710

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY199

частина: 22122

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY190

частина: 4272

Зондування відстані: 0.178" (4.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SB5

частина: 8233

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

Z4D-A01

частина: 4329

Зондування відстані: 0.256" (6.5mm), Метод зондування: Reflective,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SB5-B

частина: 10268

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY110

частина: 15782

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5

частина: 2766

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Список побажань

18