Оптичні датчики - Фотопереривачі - Тип гнізда - Тр

EE-SH3

частина: 14281

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SM3

частина: 6127

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 15mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SX138

частина: 20503

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SV3-G

частина: 16057

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1108

частина: 33381

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SH3-D

частина: 15785

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1109

частина: 83024

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SX1096-W1

частина: 3619

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1109-1

частина: 6014

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SX1096

частина: 31150

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SJ5-B

частина: 16358

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SA102

частина: 33465

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1082

частина: 6077

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1131-1

частина: 5995

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: 2 NPN, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SM3B

частина: 6070

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 15mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SH3-DS

частина: 15812

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1108-1

частина: 6071

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SX298

частина: 5978

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

EE-SX1107

частина: 88000

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SA113

частина: 5994

Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SJ3-C

частина: 13316

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SJ3-G

частина: 11331

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1131

частина: 82125

Зондування відстані: 0.079" (2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: 2 NPN, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SX2088

частина: 6060

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V,

EE-SK3W-B

частина: 6096

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Photodarlington, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 15mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V,

EE-SV3-CS

частина: 9989

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1107-1

частина: 9619

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V,

EE-SV3-GS

частина: 6012

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1330

частина: 117478

Зондування відстані: 0.118" (3mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA,

EE-SX1088-W1

частина: 6108

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1128

частина: 42770

Зондування відстані: 0.165" (4.2mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SG3-B

частина: 13033

Зондування відстані: 0.142" (3.6mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1023-W1

частина: 9340

EE-SX1081

частина: 21230

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SV3-C

частина: 10019

Зондування відстані: 0.134" (3.4mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

EE-SX1140

частина: 13152

Зондування відстані: 0.551" (14mm), Метод зондування: Transmissive, Вихідна конфігурація: Phototransistor, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,