Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

PMZB370UNE,315

частина: 148144

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 900mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

PMN27UP,115

частина: 126881

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

PMV55ENEAR

частина: 192642

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V,

PMZ350UPEYL

частина: 148553

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

PMPB100ENEX

частина: 7293

PMV100ENEAR

частина: 117850

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3A, 10V,

PMN40ENEX

частина: 166273

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.5A, 10V,

PHD38N02LT,118

частина: 176275

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44.7A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 5V,

PMN42XPE,115

частина: 192962

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

PMV35EPER

частина: 125876

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V,

PMV50ENEAR

частина: 117982

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.9A, 10V,

PMV280ENEAR

частина: 193407

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 1.1A, 10V,

PHP18NQ11T,127

частина: 176535

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 110V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

PSMN5R0-30YL,115

частина: 173967

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 91A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN045-80YS,115

частина: 100401

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

PMZB390UNEYL

частина: 144582

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 900mA (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 900mA, 4.5V,

PSMN013-30MLC,115

частина: 141018

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 10A, 10V,

PMV20XNEAR

частина: 114761

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

PMV50UPEVL

частина: 161398

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

PMV100XPEAR

частина: 164347

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.4A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

PMPB85ENEAX

частина: 133197

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V,

PSMN6R4-30MLDX

частина: 124612

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 66A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN6R0-25YLDX

частина: 127426

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 61A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN5R6-60YLX

частина: 186008

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

PMF250XNEX

частина: 136275

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254 mOhm @ 900mA, 4.5V,

PMPB15XPH

частина: 171869

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

NX2301P,215

частина: 112527

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

PMN27UPH

частина: 151337

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.7A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

PSMN030-60YS,115

частина: 169512

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7 mOhm @ 15A, 10V,

PMPB20XNEAX

частина: 129349

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

PHB18NQ10T,118

частина: 169653

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

PSMN039-100YS,115

частина: 180142

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28.1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN4R5-30YLC,115

частина: 143884

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 84A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

PSMN018-80YS,115

частина: 134998

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5A, 10V,

PMV42ENER

частина: 158531

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.4A, 10V,

PMF170XP,115

частина: 111863

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V,