Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

PHB29N08T,118

частина: 121721

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 11V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 11V,

PHP36N03LT,127

частина: 194880

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43.4A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN9R0-25MLC,115

частина: 128378

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65 mOhm @ 15A, 10V,

PMV230ENEAR

частина: 182810

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222 mOhm @ 1.5A, 10V,

PHD97NQ03LT,118

частина: 191311

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

PMCM4401VNEAZ

частина: 176751

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 4.5V,

PMV48XPVL

частина: 176666

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

PMPB47XP,115

частина: 145305

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4A, 4.5V,

PMPB215ENEA/FX

частина: 164667

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.9A, 10V,

PMN48XP,115

частина: 114916

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

PMN70XPX

частина: 169680

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.1A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

PMV450ENEAR

частина: 176454

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 800mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 900mA, 10V,

PSMN020-30MLCX

частина: 166627

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31.8A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1 mOhm @ 5A, 10V,

NX7002AKVL

частина: 175127

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 190mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

PSMN3R5-25MLDX

частина: 185579

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V,

PMV65XPER

частина: 166088

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

PMPB33XN,115

частина: 114630

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.3A, 4.5V,

PSMN014-80YLX

частина: 151317

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 62A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

PHD20N06T,118

частина: 114453

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

PHT4NQ10T,135

частина: 176839

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.75A, 10V,

PMPB95ENEA/FX

частина: 132368

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.8A, 10V,

PHD101NQ03LT,118

частина: 157108

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

NX7002BKVL

частина: 135066

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 270mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V,

PMZ950UPELYL

частина: 125251

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

PMZ420UNYL

частина: 146992

PMZB1200UPEYL

частина: 181890

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 410mA (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V,

PMN52XPX

частина: 117778

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

PMBF170,235

частина: 190204

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

PMN30UNEX

частина: 184105

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.8A, 4.5V,

NX138BKVL

частина: 129690

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 265mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

PMFPB8032XP,115

частина: 171200

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

PSMN6R1-30YLDX

частина: 181502

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 66A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

PMPB15XPZ

частина: 146870

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

PMCM440VNEZ

частина: 195215

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 3A, 4.5V,

PMCM6501VPEZ

частина: 199941

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

PMN70EPEX

частина: 7293

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 10V,