Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

BUK9Y15-100E,115

частина: 141752

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 69A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9Y07-30B,115

частина: 169093

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7Y08-40B,115

частина: 193535

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9M156-100EX

частина: 188739

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.3A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

BUK9M11-40EX

частина: 120738

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

BUK7Y153-100EX

частина: 112638

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153 mOhm @ 2A, 10V,

BUK7M19-60EX

частина: 170787

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9Y8R7-60E,115

частина: 189165

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 86A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

BUK7Y25-60EX

частина: 129263

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK9Y12-40E,115

частина: 180907

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

BUK9Y3R5-40E,115

частина: 174058

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9Y14-80E,115

частина: 176286

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 62A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

BUK9Y113-100E,115

частина: 170951

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 5A, 10V,

BUK7Y6R0-60EX

частина: 141677

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9606-75B,118

частина: 61591

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9616-75B,118

частина: 115339

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 67A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

BUK764R4-60E,118

частина: 72286

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK965R8-100E,118

частина: 47682

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 5V,

BUK7C06-40AITE,118

частина: 2305

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

BSS84AK-BR

частина: 6276

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BSS138BKW-BX

частина: 2244

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V,

BSS138AKA/LF1R

частина: 2276

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BSS123/LF1R

частина: 2214

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

BUK6207-55C,118

частина: 133418

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK6215-75C,118

частина: 190677

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 57A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V,

BUK929R1-60EJ

частина: 2150

BUK9234-100EJ

частина: 2107

BUK9230-80EJ

частина: 2080

BUK9223-60EJ

частина: 2120

BUK9222-100EJ

частина: 2069

BUK9216-100EJ

частина: 2091

BUK9213-60EJ

частина: 6246

BUK9214-80EJ

частина: 2115

BUK78150-55A/CUX

частина: 135332

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

BUK9E08-55B,127

частина: 42596

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9880-55/CUF

частина: 144804

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 5V,