Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

BUK7240-100A,118

частина: 189623

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9277-55A,118

частина: 142778

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 10A, 10V,

BUK6D43-40PX

частина: 32272

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 6A, 10V,

BSS138AKAR

частина: 149527

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BUK7227-100B,118

частина: 152454

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9Y153-100E,115

частина: 108774

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.4A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 2A, 10V,

BUK92150-55A,118

частина: 156241

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 5A, 10V,

BSP220,115

частина: 188363

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 225mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

BSH202,215

частина: 157368

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 520mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 280mA, 10V,

BSP130,115

частина: 157943

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 350mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 250mA, 10V,

BUK7Y12-55B,115

частина: 117501

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 61.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9875-100A/CUX

частина: 111158

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

BSS84AKM,315

частина: 141841

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

BUK7275-100A,118

частина: 124033

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V,

BSH114,215

частина: 127838

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V,

BUK7Y12-40EX

частина: 103644

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

BUK7Y14-80EX

частина: 176351

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

BUK98150-55A/CUF

частина: 172950

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 5A, 10V,

BSH205G2R

частина: 155949

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 4.5V,

BSP126,115

частина: 169780

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 375mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

BSP250,135

частина: 154458

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V,

BSS138BKW,115

частина: 190342

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V,

BUK9635-55A,118

частина: 165983

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 25A, 10V,

BSH201,215

частина: 100652

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 160mA, 10V,

BUK964R2-80E,118

частина: 47682

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK761R6-40E,118

частина: 47644

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7C08-55AITE,118

частина: 49228

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

BUK7905-40AI,127

частина: 49854

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

BUK9225-55A,118

частина: 166247

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

BUK964R7-80E,118

частина: 53068

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7Y3R5-40E,115

частина: 174120

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9J0R9-40HX

частина: 8044

BUK7J1R0-40HX

частина: 7971

BUK762R4-60E,118

частина: 57863

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7610-55AL,118

частина: 58606

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

BUK963R3-60E,118

частина: 58784

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,