Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

Додому
Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

Microsemi Corporation

JANTX2N2919L

частина: 1721

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060L

частина: 835

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920L

частина: 1532

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N2920L

частина: 1944

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N4854U

частина: 4433

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N5796U

частина: 4445

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANS2N2920

частина: 617

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N6989

частина: 1252

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N3811

частина: 4496

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N3811L

частина: 4476

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060

частина: 4482

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N5794U

частина: 4450

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2003J

частина: 4422

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811

частина: 4485

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2803J-DESC

частина: 4457

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N6989

частина: 1403

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N5794

частина: 4465

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2023J-DESC

частина: 4587

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 95V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810U

частина: 1474

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2823J-883B

частина: 4475

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 95V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N3811U

частина: 4430

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N6989U

частина: 4522

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N4854

частина: 586

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N6989

частина: 1489

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N6990

частина: 4451

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2823J

частина: 4440

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 95V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N2920U

частина: 1510

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N6988

частина: 1211

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919

частина: 1627

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N2919U

частина: 1524

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919U

частина: 1139

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N5794

частина: 231

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N6990

частина: 1554

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N3810L

частина: 2505

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N2920L

частина: 4518

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920U

частина: 4499

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

89

«
1
2
3
»