Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

Додому
Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

Microsemi Corporation

2N2919U

частина: 1529

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3810U

частина: 2166

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N2060L

частина: 2121

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N6987

частина: 1248

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N6988

частина: 1523

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N2919L

частина: 2004

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N2920U

частина: 161

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3838

частина: 1633

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N2920L

частина: 2061

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N6990

частина: 1262

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N5795

частина: 1968

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N2920

частина: 2258

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3810L

частина: 4091

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N2919

частина: 2136

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3810

частина: 3259

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N6989

частина: 4437

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3811L

частина: 4456

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3811U

частина: 4453

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

2N3811

частина: 4521

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

частина: 1050

Транзисторний тип: 4 NPN (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

частина: 1020

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

частина: 4491

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

частина: 4488

Транзисторний тип: 8 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

частина: 4551

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

частина: 4513

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

частина: 4460

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

частина: 1613

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

частина: 1921

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N6987

частина: 1383

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

частина: 1675

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

частина: 1284

Транзисторний тип: 4 PNP (Quad), Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

частина: 163

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

частина: 1620

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

частина: 301

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

частина: 980

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

частина: 1262

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Список побажань

89

«
1
2
3
»