Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

APT38M50J

частина: 3133

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

APT35SM70B

частина: 9534

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 10A, 20V,

APT4012BVRG

частина: 6001

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

APT12080JVR

частина: 9535

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 7.5A, 10V,

APT8018JN

частина: 9512

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 20A, 10V,

APT1001R1BN

частина: 5957

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V,

APT12067B2LLG

частина: 9492

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 9A, 10V,

APTC90SKM60CT1G

частина: 1053

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 59A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

APTM100UM65SCAVG

частина: 274

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 145A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

APT58M50JCU3

частина: 9462

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

APT26M100JCU3

частина: 2287

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

APTML10UM09R004T1AG

частина: 5947

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 154A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V,

APT17F80S

частина: 7999

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 9A, 10V,

APT18F60S

частина: 9527

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 9A, 10V,

APTM120U10SCAVG

частина: 345

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 116A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

APT84F50B2

частина: 3970

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 84A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

APTM50SKM35TG

частина: 6026

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 99A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V,

APTM50DAM38CTG

частина: 9369

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

APTM50UM19SG

частина: 9313

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 163A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 81.5A, 10V,

APTM100SK40T1G

частина: 9314

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V,

APTC80DA15T1G

частина: 9306

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V,

APTC60DAM35T1G

частина: 9356

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V,

APT84M50B2

частина: 4090

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 84A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

APT5518BFLLG

частина: 9293

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 15.5A, 10V,

APT28F60B

частина: 9338

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 14A, 10V,

APT20M22B2VFRG

частина: 6001

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

APT20M22B2VRG

частина: 9271

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,

MSC140SMA120B

частина: 250

JANSR2N7380

частина: 2343

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14.4A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14.4A, 12V,

JANSR2N7262U

частина: 2274

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364 mOhm @ 5.5A, 12V,

JANSR2N7269U

частина: 2357

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 26A, 12V,

JANSR2N7381

частина: 2296

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.4A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 9.4A, 12V,

JAN2N6898

частина: 2113

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15.8A, 10V,

JANSR2N7269

частина: 2305

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 26A, 12V,

JANTXV2N6898

частина: 2179

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15.8A, 10V,

JANSR2N7389

частина: 2356

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 6.5A, 12V,