Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

APT7F120B

частина: 9338

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 3A, 10V,

APT10090BLLG

частина: 3787

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 6A, 10V,

APT29F100B2

частина: 3359

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 16A, 10V,

APT8020JLL

частина: 1917

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 16.5A, 10V,

APTM100UM65SAG

частина: 414

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 145A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

APT8M100B

частина: 10958

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 4A, 10V,

APT77N60JC3

частина: 2033

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 77A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 60A, 10V,

APT42F50B

частина: 5480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 21A, 10V,

APT50M65JFLL

частина: 1737

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 29A, 10V,

APT5010JVRU2

частина: 2081

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

APT1204R7BFLLG

частина: 5881

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V,

APT60N60BCSG

частина: 3141

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

APT5SM170S

частина: 2313

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.6A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

частина: 2239

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

частина: 2305

Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A,

APT130SM70J

частина: 2271

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 78A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

частина: 2237

Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT60M75L2FLLG

частина: 1751

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

APT4016BVRG

частина: 6274

APT5014B2VRG

частина: 6218

APT4012BVR

частина: 2171

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

APT10M11JVR

частина: 2201

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 144A (Tc), Приводна напруга: 10V,

APT58MJ50J

частина: 2236

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

APT10M07JVR

частина: 2161

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 225A (Tc), Приводна напруга: 10V,

APT8075BN

частина: 2223

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 6.5A, 10V,

APT6040BNG

частина: 2165

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

APT6040BN

частина: 2226

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

APT5025BN

частина: 6264

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 11.5A, 10V,

APT6030BN

частина: 2196

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 11.5A, 10V,

APT5022BNG

частина: 2234

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.5A, 10V,

APT5020BNFR

частина: 2155

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

APT5012JN

частина: 2168

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 21.5A, 10V,

APT5020BN

частина: 2225

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

APT40M42JN

частина: 2165

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 86A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V,

APT40M75JN

частина: 2167

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 56A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V,

APT4065BNG

частина: 2197

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,