Пам'ять

MT29F64G08AECABH1-10IT:A TR

частина: 9472

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR

частина: 6033

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

EDF8164A3PK-JD-F-D

частина: 5028

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 933MHz,

EDFA164A2MA-GD-F-D

частина: 8405

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 800MHz,

NAND128W3AABN6E

частина: 9763

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR

частина: 1290

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT40A512M16JY-062E:B

частина: 41

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (512M x 16), Тактова частота: 1.6GHz,

EDFA164A2PK-GD-F-D

частина: 3268

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 800MHz,

MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

частина: 7607

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 4Gb (128M x 32), Тактова частота: 400MHz,

EDFA232A2PD-GD-F-D

частина: 3348

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 800MHz,

MT29F128G08CFAABWP-12:A TR

частина: 149

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

частина: 358

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Tb (512G x 8), Тактова частота: 267MHz,

MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR

частина: 15579

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

MT29F16G08ABACAM72A3WC1

частина: 9044

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8),

EMF8132A3MA-DV-F-D

частина: 4778

MT40A1G16HBA-083E:A TR

частина: 1152

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (1G x 16), Тактова частота: 1.2GHz,

MT49H64M9FM-25:B TR

частина: 923

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (64M x 9), Тактова частота: 400MHz,

MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR

частина: 9606

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8),

EDFA232A2PD-GD-F-R TR

частина: 9138

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 800MHz,

EDW4032BABG-70-F-R TR

частина: 7872

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR5, Обсяг пам'яті: 4Gb (128M x 32), Тактова частота: 1.75GHz,

N25Q512A83G12H0F TR

частина: 8248

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT40A2G4TRF-093E:A

частина: 8517

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (2G x 4), Тактова частота: 1067MHz,

MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR

частина: 5447

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 83MHz,

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

частина: 8049

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 533MHz,

MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

частина: 11460

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

частина: 1343

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

частина: 26717

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

MT49H32M9FM-25:B

частина: 851

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (32M x 9), Тактова частота: 400MHz,

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

частина: 8219

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR

частина: 3320

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 166MHz,

EDFA364A3MA-GD-F-D

частина: 2527

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 800MHz,

MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR

частина: 7293

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz,

MT29F1T08CUCABK8-6:A TR

частина: 435

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 167MHz,

N25Q512A13GSFH0E

частина: 2940

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT40A512M8RH-075E AUT:B TR

частина: 4360

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 1.33GHz,

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR

частина: 366

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 167MHz,