Пам'ять

MT29F1T08CQCCBG2-6R:C

частина: 3519

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 167MHz,

MTFC8GACAAAM-1M WT

частина: 5530

MT28EW256ABA1HPC-1SIT

частина: 19910

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MT25TL256BAA1ESF-0AAT

частина: 6998

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT49H16M18CSJ-25:B

частина: 2652

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

частина: 6546

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 167MHz,

MT25QL02GCBA8E12-0SIT

частина: 7014

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

M25PE20-V6D11

частина: 8506

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 75MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ms, 3ms,

EDS6432AFTA-75TI-E-D

частина: 16846

MT29TZZZAD7EKKCY-107 W.97W TR

частина: 7101

MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F

частина: 112

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2), Тактова частота: 533MHz,

MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR

частина: 6851

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 83MHz,

MT53B2DANP-DC

частина: 2108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

EDF8164A3PF-JD-F-R TR

частина: 6027

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 933MHz,

MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR

частина: 5779

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR

частина: 10468

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

EDF8164A3MA-GD-F-D

частина: 8366

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 800MHz,

EDB2432BCPE-8D-F-D

частина: 8590

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 400MHz,

N28H00CB03JDK11E

частина: 2377

RC28F128J3F75B TR

частина: 11741

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 75ns,

MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR

частина: 10967

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

частина: 689

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR

частина: 7683

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz,

MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR

частина: 847

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 167MHz,

MT49H8M36FM-25 IT:B TR

частина: 1057

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (8M x 36), Тактова частота: 400MHz,

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

частина: 7003

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2), Тактова частота: 533MHz,

MT29F1G16ABBDAM68A3WC1

частина: 9632

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16),

MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR

частина: 7212

EDFP112A3PB-JDTJ-F-D

частина: 2625

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (192M x 128), Тактова частота: 933MHz,

EDFB232A1MA-GD-F-R TR

частина: 665

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 800MHz,

MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

частина: 3248

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 208MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14.4ns,

NAND128W3AABN6F TR

частина: 1297

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 50ns,

EDFP112A3PF-JD-F-D

частина: 2661

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (192M x 128), Тактова частота: 933MHz,

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

частина: 16941

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 533MHz,

MTFC4GMDEA-1M WT

частина: 9995

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8),

MT29F2G16ABBFAH4:F TR

частина: 8936

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),