Пам'ять

M25PX80-VMP6TGT0 TR

частина: 5019

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 75MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ms, 5ms,

M25P16-V6D11

частина: 45576

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 75MHz,

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

частина: 9669

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (192M x 128), Тактова частота: 800MHz,

MT25TL256HAA1ESF-0AAT TR

частина: 6954

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT29F2G16ABBFAH4:F

частина: 1513

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

MT29F256G08EFEBBWP:B

частина: 6594

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

N25Q032A13EV741

частина: 40743

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (8M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

N25Q128A11E1240F TR

частина: 32880

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (32M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

частина: 6576

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 167MHz,

JS28F256J3F1058 TR

частина: 4613

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 105ns,

MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C

частина: 928

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 166MHz,

MTFC64GAKAEEY-4M IT

частина: 1105

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F

частина: 1479

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

MT25QU128ABA1EW9-0SIT

частина: 37114

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT25QU128ABA8E12-1SIT

частина: 27994

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

частина: 4145

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT28EW512ABA1HJS-0SIT

частина: 14301

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

частина: 3166

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (1G x 8), Тактова частота: 1.2GHz,

MT40A2G4SA-075:E TR

частина: 113

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (2G x 4), Тактова частота: 1.33GHz,

N25Q032A13EV7A0

частина: 8152

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (8M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

M58BW16FB5ZA3F

частина: 7034

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (512K x 32), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR

частина: 119

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8),

MT28EW01GABA1HJS-0SIT

частина: 10198

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MTFC4GACAJCN-4M IT

частина: 7283

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8),

MT47H256M8EB-3:C

частина: 4948

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT40A2G4WE-075E:B TR

частина: 2773

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (2G x 4), Тактова частота: 1.33GHz,

MT38W201DAA033JZZI.X68

частина: 9683

M25P32-VMW3GB

частина: 7048

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8), Тактова частота: 75MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ms, 5ms,

N25Q064A13E5340F TR

частина: 51675

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (16M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

N25Q032A13E1241F TR

частина: 56823

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (8M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT28GU01GAAA2EGC-0SIT

частина: 9060

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 133MHz,

MT40A512M8RH-075E AIT:B TR

частина: 5456

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 1.33GHz,

M58WR064KU70D16

частина: 8387

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 66MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

PC28F256P30T2E

частина: 17479

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

MT40A2G4WE-083E:B TR

частина: 3313

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 8Gb (2G x 4), Тактова частота: 1.2GHz,

N25Q128A31EF840F TR

частина: 8747

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (32M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,