Пам'ять

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

частина: 8288

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR

частина: 4821

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

MT53B4DATT-DC

частина: 5834

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MTFC16GAPALNA-AIT TR

частина: 177

MT53D8DARG-DC TR

частина: 9819

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR

частина: 8785

MT35XL01GBBA1G12-0AAT

частина: 1225

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz,

MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D

частина: 2051

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (2G x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT35XU512ABA2G12-0AUT TR

частина: 8879

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz,

MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

частина: 8122

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

частина: 5723

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 933MHz,

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

частина: 2356

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

N25Q512A83G12A0F

частина: 2558

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 108MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 5ms,

MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E

частина: 1297

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8),

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

частина: 1451

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

частина: 2716

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR

частина: 8883

EDF8164A3MC-GD-F-R

частина: 7954

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 8Gb (128M x 64), Тактова частота: 800MHz,

MTFC64GAPALBH-AAT ES

частина: 3804

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

частина: 3700

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR

частина: 8496

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR

частина: 8779

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

частина: 96

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

частина: 3989

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (768M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT ES

частина: 7736

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D

частина: 2271

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

частина: 3717

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D

частина: 5982

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (1.5G x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT53D4DBFL-DC

частина: 8339

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

частина: 8023

MT53B4DAPV-DC

частина: 1736

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

частина: 9527

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT53D4DACR-DC TR

частина: 3348

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT25QL256ABA8E14-1SIT

частина: 910

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ms, 2.8ms,

MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

частина: 2432

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

частина: 3455

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,