Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 32V, Логічна напруга - VIL, VIH: 2V, 4.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 8, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 3V, 8V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 25V (Max),
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 11V ~ 50V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: High-Side or Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 6V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5.25V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
