Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

  • Додому
  •  
  • Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси
TC6320TG-G
Microchip Technology

TC6320TG-G

частина: 68318

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань
TC7920K6-G
Microchip Technology

TC7920K6-G

частина: 49864

Тип FET: 2 N and 2 P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 1mA,

Список побажань
TD9944TG-G
Microchip Technology

TD9944TG-G

частина: 65575

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 240V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань
TC2320TG-G
Microchip Technology

TC2320TG-G

частина: 63061

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань
TC6320K6-G
Microchip Technology

TC6320K6-G

частина: 71235

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань
TC8020K6-G-M937
Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

частина: 11166

Тип FET: 6 N and 6 P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 1mA,

Список побажань
TC6321T-V/9U
Microchip Technology

TC6321T-V/9U

частина: 64633

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

Список побажань
DN2625DK6-G
Microchip Technology

DN2625DK6-G

частина: 28122

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Depletion Mode, Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

Список побажань
TC6215TG-G
Microchip Technology

TC6215TG-G

частина: 66450

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

Список побажань
TC8020K6-G
Microchip Technology

TC8020K6-G

частина: 8617

Тип FET: 6 N and 6 P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 1mA,

Список побажань
TC1550TG-G
Microchip Technology

TC1550TG-G

частина: 16138

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 1mA,

Список побажань
LP1030DK1-G
Microchip Technology

LP1030DK1-G

частина: 2955

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 1mA,

Список побажань
LN100LA-G
Microchip Technology

LN100LA-G

частина: 2875

Тип FET: 2 N-Channel (Cascoded), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.6V @ 10µA,

Список побажань
TC8220K6-G
Microchip Technology

TC8220K6-G

частина: 47950

Тип FET: 2 N and 2 P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 1mA,

Список побажань